型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: IXTK 系列 单 N 沟道 250 V 33 mOhm 960 W 功率 MOSFET - TO-26431341+￥194.055610+￥188.993350+￥185.1122100+￥183.7622200+￥182.7498500+￥181.39981000+￥180.55612000+￥179.7124 -
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品类: MOS管描述: TO-264P-CH 200V 90A58751+￥128.458510+￥125.107450+￥122.5382100+￥121.6446200+￥120.9743500+￥120.08071000+￥119.52222000+￥118.9637 -
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品类: MOS管描述: TO-264 N-CH 150V 360A69571+￥211.833510+￥206.307450+￥202.0707100+￥200.5971200+￥199.4918500+￥198.01821000+￥197.09722000+￥196.1762 -
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品类: MOS管描述: N-CH 1100V 40A44081+￥331.344910+￥322.701150+￥316.0742100+￥313.7692200+￥312.0405500+￥309.73551000+￥308.29482000+￥306.8542 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备85331+￥127.947910+￥124.610150+￥122.0511100+￥121.1611200+￥120.4935500+￥119.60341000+￥119.04712000+￥118.4908
